Page 80 - bilgem-teknoloji-dergisi-11

Bilgi Güvenliğieknolojileri
Y ar ı İlet k en T BILGEM
TEKNOLOJI

Şekil 8. SiGe HBT yapısı.

Şekil 7. 5 YİTAL BiCMOS teknolojisi ile üretilen öğelerin TCAD
benzetim ortamında kesiti.

tabaka bulunmaktadır. Gömük tabaka, kollektör
akımının kontağa ulaşırken izlediği yolda direncin
düşmesini sağlar. Kollektör kontağı altına yapılan
n+ iyon katkılama kollektör direncini düşüren di-
ğer uygulamadır. SIC (Selevtive Implanted Collec-
tor), transistörün performans hedefine göre iyon
ekme ile katkılanmış aktif kollektör bölgesidir.
Aktif transistör bölgesinde SiGe baz, sandviç gibi,
emetör ve kollektör arasında yer almaktadır.

Şekil 9’da 4 parmaklı bir HBT’nin YİTAL serim ta-
sarımı ve YİTAL’de üretildikten sonraki pul üzeri
Şekil 6’da pul üzeri MIM kondansatör görüntüsü tör kapısı (K) bulunmaktadır. Bazın kontak alınan görüntüsü verilmiştir. Şekil 10’da ise aynı transis-
ile kapasite ölçüm ve modelleme sonuçları veril- bölgesine dış baz denmektedir. Emetör ve dış baz törün elektron mikroskobu (TEM: Transmission
miştir. Kapasite değeri 0,7 fF/µm ’dir. bölgeleri polisilisyumdur. Bu bölgeler dirençlerinin Electron Microscope) ile elde edilmiş kesiti görül-
2
düşük olması için yüksek katkılıdır. Transistörün mektedir. Şekil 11’de ise kontakları ile birlikte HBT
Şekil 7’de YİTAL’in 0,25 µm 5 metal SiGe:C BiC- kendi kapıları arası yalıtım sığ çukur yalıtımı (STI: ve aktif HBT bölgesinin yakından verildiği TEM
MOS teknojisi ile üretilen öğelerin TCAD (Techno- Shallow Trench Isolation) ve oksit, transistörler görüntüleri mevcuttur.
logy Computer Aided Design) benzetim ortamında arası yalıtım ise derin çukur yalıtımı (DTI: Deep
elde edilmiş kesiti görülmektedir. Trench Isolation) ile sağlanır. Yan duvarlar, eme-
törü dış baz bölgelerinden yalıtır. Kollektörün eme-
Şekil 8’de tipik bir npn HBT yapısının temel öğeleri tör ve baza göre düşük katkılanması, transistörün
gösterilmiştir. Emetör, baz, kollektör ve taban, tran- akım yolunda seri ve yüksek bir direncin olmasına
sistörün kontrol kapılarıdır. Şekildeki transistörün neden olur. Kollektör katkısını artırmadan direnci
bir emetör kapısı (E), 2 baz kapısı (B) ve iki kollek- düşürmek için aktif kollektörün altında n+ gömük

Şekil 10. 4 parmaklı HBT yapısının pul kesidi görüntüsü.

Şekil 6. MIM kondansatörün (a) pul üzeri görüntüsü ile (b) endüktans değeri.
Şekil 11. Çekirdek HBT: (a) TEM görüntüsü, (b) aktif transistör bölgesi.

78 79