Page 72 - bilgem-teknoloji-dergisi-11

Bilgi Güvenliğieknolojileri
Y ar ı İlet k en T

Adımlayıcıların aydınlatma sistemleri, istenilme- tadır. Uzun süre ve yüksek sıcaklıkta yapılan ısıt-
yen dalga boylarını filtrelemeli ve istenilen dalga ma, fotorezistin çözünmesini yavaşlatmakta veya
boyunda ışığa geçirgen olmalıdır. Yine bunun dı- durdurmaktadır [4]. PEB’ in etkinliği fotorezistin
şında ışıklandırma dozunu kontrol edebilmeli ve içerdiği ışığa duyarlı olan bileşenin, foto-asitin di-
homojen bir ışık sağlamalıdır. Maskenin ışıklandır- füzyon sabitlerine, moleküllerinin büyüklüğüne ve
ması büyük bir alanda homojen olmalıdır. Aydın- ilk ısıtma işlemi sonrasında kalan çözücünün mik-
latma sistemlerindeki homojenlik, bir dizi merceğin tarına bağlıdır. PEB sıcaklığı fotorezistin içerdiği
kullanılmasıyla artırılabilmektedir [2,3]. reçinenin camsı geçiş sıcaklığına bağlıdır ve camsı
geçiş sıcaklığının, PEB sıcaklığının üzerinde olması
Optik litografi, şekillendirme için belirli bir dalga bo- önerilmektedir [2,6].
yundaki ışık kaynağını kullanırken daha yeni tekno-
lojilerde iyon demeti, elektron demeti gibi kaynaklar Yarı iletken üretiminde, genel olarak fotorezist
kullanılmaktadır. Ayrıca yeni teknolojiler ile maskesiz uzaklaştırılması için bazik çözeltiler kullanılmak- Blokzincir Araştırma Ağı (BAĞ):
şekillendirme yapmak da mümkündür [4,5]. tadır. En yaygın olarak kullanılan kimyasal ise
içerisinde herhangi bir metalik iyon bulundurma-
Işıklanma sonrası ısıtma işlemi (PEB) yapılarak yan tetrametil amonyum hidroksit (TMAH) çözel-
fotorezist moleküllerinin ısıl olarak hareketiyle tisidir. Sodyum ve potasyum hidroksit çözeltileri TÜBİTAK BİLGEM ve Üniversitelerimizin
ışıklanmış ve ışıklanmamış moleküllerin tekrar kapı oksidinin (gate oxide) bütünlüğünü azalttığı
düzenlenmesi sağlanmaktadır. Bu sayede duran için tercih edilmemektedir. Fotorezist uzaklaştırma işbirliği ile kurulmuş bir araştırma platformudur.
dalga etkileri engellenmekte, fotorezist yan duvarı işlemi; pul yatay konumdayken üzerine tamamen
düzgünleşmekte ve çözünme daha düzenli olmak- kaplayacak çözelti akıtılarak ve bir süre bekletile-
rek yapılmaktadır. Fotorezistin uzaklaşması için
yeterli süre kadar bekletildikten sonra pul de-iyo-
nize su ile temizlenir ve kurutulur [2,3].

İyon ekme ve aşındırma öncesi fotorezist yüksek Amacı;
sıcaklıkta ısıtma işlemi ile sertleştirilerek kararlı
bir yapıya dönüştürülmektedir. Bu işlem sırasında
fotorezist içinde çapraz bağlar oluşmakta, kalan
nem ve gazlar giderilmektedir. Fotorezistin son
ısıtma sıcaklığı camsı geçiş sıcaklığı ile sınırlı kal-  Ülkemizin,
maktadır. Camsı geçiş sıcaklığının üzerinde amorf
yapıdaki polimer zincirlerinin moleküler hareketi hayatımızın
gerçekleşmektedir. Bu hareket camsı geçiş sıcak- her noktasında Ülkemizde  Eş güdüm
lığı altında durmaktadır. Camsı geçiş sıcaklığı üze- köklü değişiklikler konu
rinde, fotorezist akmakta ve şekillendirme profili yapmaya aday ile ilgilenen içinde www.bag.org.tr
bozulmaktadır [2,3]. çalışmalarına
blokzincir teknolojileri araştırmacıları yardımcı
konusundaki rekabet bir araya olmak
Kaynakça gücünü getirmek
[1] Karis, A., “PR Thickness Examination Photolithography yükseltmek
in the Manufacturing of Transparent Displays”,Thesis,
Metropolia University, 2019
[2] Levinson, H.J. (2010). Principles of Lithography
(Third Edition). Washington USA: SPIE Press.
[3] Mack, C., “Fundamental Principles of Optical Lithography_
The Science of Microfabrication”Wiley-Interscience, 2008.
[4] Menon, R., Patel, A., Gil, D., Smith, H.I. (2005). Maskless
lithography. Materials Today, 8, 26-33.
[5] Tseng, A.A. (2003). Electron beam lithography in nanoscale BAĞ Koordinatörü TÜBİTAK BİLGEM
fabrication: recent development. IEEE Transactions on
Electronics Packaging Manufacturing, 26, 141-149.
[6] Raptis I., Constantions C., Diakoumakos D., “Non
Destructive Method for Glass Transition in thin
Photoresist Films” 61-62, Microelectronic Engineering, 2002.
Üye Kurumlar

70