Page 47 - bilgem-teknoloji-dergisi-11

Yarı İletken Teknolojileri Bu bir proje
tanıtımıdır.

Bu bir proje
tanıtımıdır.

MGR, TÜBİTAK BİLGEM ve Devlet
Hava Meydanları İşletmesi (DHMİ)
iş birliği ile geliştirilmiştir. Sivil
veya askeri hava trafik kontrolü ve
yağış durumu belirleme amacıyla
gerçeklenen bu temel gözetleme
radar (PSR) sistemi bir S-bant
Doppler katı hal darbe radarıdır.

YİTAL’de, CMOS ve SiGe BiCMOS üretim süreçle- Metal öncesi tüm devre üretim aşamalarındaki iyon
rinde aşındırılacak ince filme özel kimyasallar ve ekme, depolama ve aşındırma süreçlerinden dola-
dinamik reçeteler kullanılarak aşağıda yazılı CMP yı pulun topografisinde dalgalanmalar gözlenebilir.
prosesleri gerçekleştirilmektedir: Bu topografik etki, metal öncesi ve sonrası depola-
POLİSİLİSYUM (derin çukur izolasyonunda depola- nan dielektrik malzeme yüzeyine aynen yansımak-
nan polisilisyum tabakasının aşındırılıp düzlenmesi), tadır. Fotolitografinin etkinliği ise mükemmel bir
STI (sığ çukur izolasyonunda depolanan LPCVD CMP ile mümkündür. Mükemmel bir CMP, gelişen
silisyumdioksit tabakasının aşındırılıp düzlenmesi), teknolojiyle uyumlu fonksiyonel süspansiyon ve
IMOX (metaller arası yalıtım için depolanan PECVD ped gibi önemli bileşenlerin işleme dâhil edilme-
silisyumdioksit tabakasının aşındırılıp düzlenmesi), sinin yanı sıra, dinamik reçetelerin kullanılması ve
W (kontak içlerinin doldurulması için Ti/TiN CMP sonrası temizlik süreçleri gibi etkin paramet-
üzerine depolanan CVD Tungsten (W) tabakasının relerin kombinasyonu ile mümkündür.
aşındırılıp düzlenmesi)
Bu gelişmelerin sürece yansıması belli parametre-
lerle ölçülmektedir. Bunların başında düzenlilik, mi-
nimum tahribat, maliyet ve CMP’nin farklı disiplinle-
re uygulanması gibi başlıklar gelmektedir. CMP, yarı
iletken endüstrisinde her alanda yer alarak yeni mal-
zemeler içeren ve artan sayıdaki süreç entegrasyon
şemalarının ayrılmaz bir parçası haline gelmiştir.

Kaynakça
1. Krishnan M, Nalaskowski JW, Cook LM. Chemical mechani-
cal planarization: Slurry chemistry, materials, and mechanisms.
Chem Rev. 2010;110(1):178-204. doi:10.1021/cr900170z

44